RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
41
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
2468
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link