RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3105
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link