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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
3143
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
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