RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
3140
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link