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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
3327
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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