RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
3344
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link