RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
43
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
2592
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link