RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
43
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2902
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link