RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2962
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link