RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
3701
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link