RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
3631
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link