RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
43
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2808
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link