RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
43
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2271
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link