RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
3528
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link