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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Différences
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Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
43
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
3122
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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