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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
43
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2987
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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