RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
43
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
3256
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link