RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2846
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link