RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
3133
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link