RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
37
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
2297
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link