RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
3552
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link