RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
2490
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link