RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
46
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
2658
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link