RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
2537
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link