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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
46
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
46
41
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
10600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
2176
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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