RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs INTENSO 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Note globale
INTENSO 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
INTENSO 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
46
Autour de -28% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2048
2061
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link