RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
42
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
3075
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link