RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
48
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
48
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
1858
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link