RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
3357
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8C
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link