RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
85
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
85
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
1118
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link