RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs INTENSO M418039 8GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
INTENSO M418039 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
INTENSO M418039 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
42
Autour de -110% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
20
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
2414
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
INTENSO M418039 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link