RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
42
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
2551
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link