RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Comparez
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Note globale
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
48
Autour de -118% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2029
2493
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link