RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Comparez
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Note globale
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
45
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
45
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2290
3233
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link