RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
41
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2290
3000
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link