RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparez
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Note globale
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2650
2935
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link