RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparez
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Note globale
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
75
Autour de 64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
75
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2650
1763
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link