RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1822
3425
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link