RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1822
1718
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link