RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
28
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1822
3512
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link