RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
41
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
3367
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link