RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
41
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
3038
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link