RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
3925
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link