RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
3463
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link