RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
2915
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link