RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
41
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
3671
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link