RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
3963
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2GX 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link