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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2535
3386
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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