RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Comparez
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Note globale
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2535
2561
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link