RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Comparez
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Note globale
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
14900
Autour de 1.72 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
25600
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2932
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link